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SK海力士二期存储芯片封装测试项目主体建筑已建成
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发布时间 : 2019-05-16 14:10:00
据重庆西永微电园官方消息，目前，SK海力士二期存储芯片封装测试项目1.6万平方米主体建筑已建成，预计6月中旬进行设备安装，三季度陆续投产。 投产后，项目合计产能是现在的2.5倍，芯片年产量将占到整个SK海力士闪存产品的40%以上,成为SK海力士海外最大封测基地。 SK海力士封测二期项目累计投资12亿美元建设NANDFlash封装测试生产线，2013年5月10日，作为市级重点引进项目，重庆与韩国SK
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据重庆西永微电园官方消息，目前，SK海力士二期存储芯片封装测试项目1.6万平方米主体建筑已建成，预计6月中旬进行设备安装，三季度陆续投产。 投产后，项目合计产能是现在的2.5倍，芯片年产量将占到整个SK海力士闪存产品的40%以上,成为SK海力士海外最大封测基地。 SK海力士封测二期项目累计投资12亿美元建设NANDFlash封装测试生产线，2013年5月10日，作为市级重点引进项目，重庆与韩国SK
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